英特尔EMIB
作者:365bet体育投注日期:2025/05/02 浏览:
4月30日的Home根据英特尔的官方演讲以及德国媒体HardWareluxx编辑Andreas Schilling的正式演讲报告,2025 Intel Foundry Direct Connect推出了一系列Intel的2.5D桥接的高级包装EMIB技术。英特尔宣布了EMIB技术在Event-EmiB-T中的新变体,该变体应通过硅孔指代TSV。此外,还有一些Foveros-R和Foveros-BA的包装,它们分别使用RDL重新布线和桥桥板。 ▲资料来源:Andreas Schilling是HBM4和UCIE芯片集成的过程,它通过TSV和M桥技术在基板上构建垂直电通道,而无需“绕道”,例如传统解决方案。这意味着EMIB-T可以实现DC/AC的较低噪声,这对信号传递的稳定性很愉快。英特尔说,EMIB-T支持从其他高级2.5D包装技术的过渡,而该过程不需要基本的重新设计。 ▲来源aNdreas Schilling对于未来的EMIB,英特尔预测,到2026年,它将达到约120mm×120mm x 20乘20的EMIB桥的总包装,并具有12 hbm的内存堆栈;到2028年,包装的尺寸将扩展到120mm×180mm,HBM的数量将超过24。▲图像来源Andreas Schilling
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